Samsung a récemment annoncé qu’il se lançait dans la production massive des barrettes de 32 Go de mémoire DDR3 au format RDIMM utilisant des puces de mémoire de 4 Go gravées en 30 nm.

Samsung affirme que ce type de RAM est bénéfique pour pour les serveurs et stations de travail. Cette RAM de fréquence de 1866 MHz fonctionne avec une tension de 1,35V contre 1333 MHz pour les DDR3 40 nm, ce qui permet de fournir environ 50% de productivité en plus ainsi qu’une consommation d’énergie plus faible de 18%.

Lancée en février 2011, ces nouvelles RAM DDR3 30 nm vont désormais être produites en masse et se verront succédées dès le troisième trimestre de l’année, par de nouvelles barrettes de mémoire de 32 Go utilisant des puces de mémoire de 4 Go gravées en 20 nm.